BALLUFF磁敏傳感器中，霍爾元件及霍爾傳感器的生產(chǎn)量是 大的。它主要用于無刷直流電機（霍爾電機）中，這種電機用于磁帶錄音機、錄像機、XY記錄儀、打印機、電唱機及儀器中的通風風扇等。另外，霍爾元件及霍 爾傳感器還用于測轉(zhuǎn)速、流量、流速及利用它制成高斯計、電流計、功率計等儀器。
磁敏傳感器是傳感器產(chǎn)品的一個重要組成部分, 隨著我國磁敏傳感器技術(shù)的發(fā)展, 其產(chǎn)品 種類和質(zhì)量將會得到進一步發(fā)展和提高, 進軍汽車, 民用儀表等這些量大面廣的應(yīng)用領(lǐng)域即 將實現(xiàn).國產(chǎn)的電流傳感器,高斯計等產(chǎn)品日前已經(jīng)開始走入市場,與國外產(chǎn)品的差距 正在快速縮小。
BALLUFF磁敏傳感器的工作原理
BALLUFF磁敏傳感器，顧名思義就是感知磁性物體的存在或者磁性強度(在有效范圍內(nèi))這些磁性材料除永磁體外，還包括順磁材料(鐵、鈷、 鎳及其它們的合金)當然也可包括感知通電(直、交)線包或?qū)Ь€周圍的磁場。
一， 傳統(tǒng)的磁檢測中首先被采用的是電感線圈為敏感元件。特點正是無須在線圈中通電，一般僅對運動中的永磁體或電流載體起敏感作用。后來發(fā)展為用線圈組成振蕩槽路的。 如探雷器， 金屬異物探測器，測磁通的磁通計等. (磁通門，振動樣品磁強計)。
二, 霍爾傳感器
霍爾傳感器是依據(jù)霍爾效應(yīng)制成的器件。
霍爾效應(yīng)：通電的載體在受到垂直于載體平面的外磁場作用時，則載流子受到洛倫茲力的作用， 并有向兩邊聚集的傾向,由于自由電子的聚集(一邊多一邊必然少)從而形成電勢差， 在經(jīng)過特殊工藝制備的半導體材料這種效應(yīng)更為顯著。從而形成了霍爾元件。早期的霍爾效應(yīng)的材料Insb(銻化銦)。為增強對磁場的敏感度,在材料方面半導 體IIIV 元素族都有所應(yīng)用。近年來，除Insb之外，有硅襯底的，也有砷化鎵的。霍爾器件由于其工作機理的原因都制成全橋路器件，其內(nèi)阻大約都在 150Ω~500Ω之間。對線性傳感器工作電流大約在2~10mA左右，一般采用恒流供電法。
Insb與硅襯底霍爾器件典型工作電流為10mA。而砷化鎵典型工作電流為2 mA。作為低弱磁場測量，我們希望傳感器自身所需的工作電流越低越好。（因為電源周圍即有磁場，就不同程度引進誤差。另外，目前的傳感器對溫度很敏感，通 的電流大了，有一個自身加熱問題。（溫升）就造成傳感器的零漂。這些方面除外附補償電路外，在材料方面也在不斷的進行改進。
BALLUFF霍爾傳感器主要有兩大類，一類為開關(guān)型器件，一類為線性霍爾器件，從結(jié)構(gòu)形式（品種）及用量、產(chǎn)量前者大于后者?；魻柶骷捻憫?yīng)速度大約在1us 量級。
三，BALLUFF磁阻傳感器
BALLUFF磁阻傳感器，磁敏二極管等是繼霍爾傳感器后派生出的另一種磁敏傳感器。采用的半導體材料于霍爾大體 相同。但這種BALLUFF傳感器對磁場的作用機理不同，傳感器內(nèi)載流子運動方向與被檢磁場在一平面內(nèi)。（順便提醒一點，霍爾效應(yīng)于磁阻效應(yīng)是并存的。在制造霍爾器件時 應(yīng)努力減少磁阻效應(yīng)的影響，而制造磁阻器件時努力避免霍爾效應(yīng)（在計算公式中，互為非線性項）。在磁阻器件應(yīng)用中，溫度漂移的控制也是主要矛盾，在器件制 備方面，磁阻器件由于與霍爾不同，因此，早期的產(chǎn)品為單只磁敏電阻。由于溫度漂移大，現(xiàn)在多制成單臂（兩只磁敏電阻串聯(lián)）主要是為補償溫度漂移。目前也有 全橋產(chǎn)品，但用法（目的）與霍爾器件略有差異。據(jù)報導磁阻器件的響應(yīng)速度同霍爾1uS量級。
BALLUFF磁阻傳感器由于工作機理不同于霍爾，因而供電也不同，而是采用恒壓源（但也需要一定的電流）供電。當后續(xù)電路不同對供電電源的穩(wěn)定性及內(nèi)部噪聲要求高低有所不同。
四， 磁敏器件應(yīng)用的問題
BALLUFF磁敏器件（單元）體積問題：
在磁敏元件作為檢測磁場而設(shè)計和制造的 ，一般檢測的概念是：測量磁場中某一點的磁性。作為點的定義在幾何學中是無限小的。在磁場檢測中，由于磁場的面積、體積、縫隙大小等都是有限面積（尺 寸），因此我們希望磁敏元件之面積與被測磁場面積相比也應(yīng)該是越小越準確。在磁場成像的技術(shù)中，元件體積越小，在相同的面積內(nèi)采集的像素就愈多。分辨率、 清晰度越高。在表面磁場測量與多級磁體的檢測中，在磁柵尺中，必然有如此要求。從磁敏元件工作機理看，為提高靈敏度在幾何形狀處于磁場中的幾何尺寸都有相 應(yīng)要求，這與“點”的要求是相矛盾的。在與國外專家技術(shù)交流中得知，1999年俄羅斯專家說他們制成了體積0 .6mm得探頭（是幾個研究所合作搞成的）。美國也有相應(yīng)的產(chǎn)品，售價約70美元一只。是否是目前高水平，未見其它報導。
BALLUFF磁敏傳感器的發(fā)展特點
1. 集成電路技術(shù)的應(yīng)用. 將硅集成電路技術(shù)應(yīng)用于磁敏傳感器, 制成集成磁敏傳感器.
2.InSb 薄膜技術(shù)的開發(fā)成功,使得霍爾器件產(chǎn)能劇增,成本大幅度下降.
3.強磁體合金薄膜得到廣泛應(yīng)用.各種磁阻器件出現(xiàn),應(yīng)用領(lǐng)域廣泛.
4.巨磁電阻多層薄膜的研究與開發(fā).新器件的高靈敏度,高穩(wěn)定性,引起研制高密度 記錄磁盤讀出頭的科技人員的極大關(guān)注.
5.非晶合金材料的應(yīng)用.與基礎(chǔ)器件配套應(yīng)用,大大改善了磁傳感器性能.
6.Ⅲ—V 族半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的開發(fā)和應(yīng)用.通過外延技術(shù),形成異質(zhì)結(jié)構(gòu),提高 磁敏器件的性能.
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